Silīcija nitrīda substrāts

UNIPRETEC silīcija nitrīda substrāts ir izgatavots no Si3N4 keramikas. Lai samazinātu vides piesārņojumu un izveidotu videi draudzīgu ekonomiku, arvien lielāka nozīme ir efektīvai elektroenerģijas izmantošanai, kas izvirza arī augstākas prasības siltuma izkliedēšanas substrātiem elektroniskajās ierīcēs. Tradicionālo keramikas substrātu, piemēram, AlN, Al2O3 un BeO, trūkumi, no kuriem arvien izteiktāki ir, piemēram, zemāka teorētiskā siltumvadītspēja un sliktas mehāniskās īpašības, ir nopietni kavējuši tā attīstību. Silīcija nitrīda keramika, salīdzinot ar tradicionālajiem keramikas substrāta materiāliem, pakāpeniski ir kļuvusi par jaunu modernu siltuma izkliedēšanas materiālu izvēli elektroniskām ierīcēm, pateicoties tās lieliskajai teorētiskajai siltuma vadītspējai un labajām mehāniskajām īpašībām.

Tomēr Si3N4 plāksnes faktiskā siltuma vadītspēja ir daudz zemāka nekā teorētiskā siltuma vadītspēja, un daži augstas siltumvadītspējas silīcija nitrīda keramikas substrāti (GG gt; 150 W / m · K) joprojām atrodas laboratorijas stadijā. Faktori, kas ietekmē silīcija nitrīda keramikas siltuma vadītspēju, ir režģa skābeklis, kristāla fāze un graudu robežas. Turklāt kristāla tipa transformācija un kristāla ass orientācija zināmā mērā var ietekmēt arī silīcija nitrīda siltuma vadītspēju. Liela problēma ir arī tas, kā panākt Si3N4 keramikas substrāta masveida ražošanu.

Tehnisko datu lapa

∆ Iepriekš minētie dati tiek piedāvāti tikai atsaucei un salīdzināšanai, precīzi dati mainīsies atkarībā no ražošanas metodes un detaļu konfigurācijas.

Lai atrisinātu šīs problēmas, UNIPRETEC ir apņēmusies nepārtraukti optimizēt saistītos sagatavošanas procesus, un silīcija nitrīda plāksnes faktiskā siltuma vadītspēja arī nepārtraukti uzlabojas. Lai samazinātu režģa skābekļa saturu, vispirms samaziniet skābekļa saturu izejvielu izvēlē. No vienas puses, par izejvielu var izmantot Si pulveri ar salīdzinoši nelielu skābekļa saturu. Treškārt, piemērotu saķepināšanas līdzekļu izvēle var arī palielināt siltuma vadītspēju, samazinot skābekļa saturu. Turklāt, pievienojot sēklu kristālus un paaugstinot saķepināšanas temperatūru, lai veicinātu kristāla formas transformāciju, un, pielietojot magnētisko lauku, lai graudi augtu virzīti, siltuma vadītspēju zināmā mērā var uzlabot. Lai izpildītu elektronisko ierīču izmēru prasības, UNIPRETEC izmanto lentes liešanas procesu, lai sagatavotu silīcija nitrīda loksnes, vafeles, substrātu.

Populāri tagi: silīcija nitrīda substrāts, Ķīna, piegādātāji, ražotāji, rūpnīca